成膜加工

当社では成膜加工の手法として、スパッタ、真空蒸着、イオンプレーティングなどの各種PVDから、TEOS膜に代表されるCVDまで豊富な成膜方法から最適な手法を提案致します。

特にスパッタに関しては豊富なターゲットを取り揃えており、2元同時、同一真空内で3層積層。小型機から大型機までニーズに合わせた装置選択が可能です。(ターゲット一覧はこちら

基板サイズは小片から12インチまで投入可能です。

 

CMP用に各種ブランケットウェハの作製も可能です。

(TiN膜、Cu膜、PE-TEOS、PE-SiN等)


スパッタについて

  • 膜を形成する粒子のエネルギーが大きく、付着力の強い膜の形成が可能
  • 合金や化合物の組成比をほぼ保ったまま成膜が可能
  • 高融点のターゲットでも成膜が可能
  • 時間制御だけで高精度の膜厚制御が可能
  • 反応性ガスによる酸化物、窒化物の成膜が可能
  • 基板加熱可能(300℃)
  • フィルムへの成膜が可能
  • 豊富なターゲット(ターゲット一覧はこちら

 

スパッタについて解説したページ「スパッタとは?」も御覧ください。


イオンビームスパッタについて

  • イオン銃で発生させたイオンをターゲットに照射する為、放電でプラズマを作る必要がなく、高真空中での成膜が可能(不純物が混ざらない)
  • イオン源が独立しており条件設定が容易
  • ターゲットの材質を問わない
  • 超薄膜の成膜が可能

 

 

真空蒸着/イオンプレーティングについて

  • 成膜速度が速い
  • プラズマによる試料の損傷がない
  • 直進性が高い
  • フィルムへの成膜が可能
  • 厚膜対応が可能
  • 膜応力が低い
  • リフトオフの成膜に最適

CVDについて

  • 被覆性が良い
  • TEOSは個片基板の投入が可能
  • フィルムへの成膜が可能
  • PE-CVDによるTEOS厚膜の成膜が可能(~20μmまで)
  • 成膜可能な膜一覧はこちら