パターニング加工
当社では、半導体素子、MEMS構造、めっき、エッチング(Deep-RIE、Dry&Wet)用のレジストパターニングの手法としてアライナー、ステッパー、EBでの露光・現像が可能です。
ポジ型、ネガ型、ドライフィルム、薄膜、厚膜用各種レジストを所有しております。ポリイミドのパターニングも可能です。
![](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/dimension=125x10000:format=jpg/path/sd54f55f2e6ac5718/image/ie4644de2c7c404dd/version/1574230202/image.jpg)
アライナー
- 3インチ~12インチ対応可能
- 等倍コンタクト露光
- リフトオフ用逆テーパーパターン
- 裏面アライメント
- レジスト以外にも低応力絶縁樹脂もパターニングも可能
![](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/dimension=222x10000:format=jpg/path/sd54f55f2e6ac5718/image/i2931e9f2493b2e1b/version/1578357798/image.jpg)
![](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/dimension=220x10000:format=jpg/path/sd54f55f2e6ac5718/image/i40eab9bc0cfce7dc/version/1578357820/image.jpg)
高アスペクトレジスト、厚膜レジスト形成
- 高アスペクト比対応レジスト(配線形成用)
- 厚膜レジスト(Cuピラー用)
- その他Ni電鋳用高アスペクト比レジストも取り扱い中
![高アスペクトレジスト レジスト厚10µm L&S:2/2µm](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/dimension=115x10000:format=jpg/path/sd54f55f2e6ac5718/image/i44d1727953652fb8/version/1574230203/image.jpg)
![厚膜用レジスト](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/dimension=101x10000:format=jpg/path/sd54f55f2e6ac5718/image/ia343243c4c6b74bc/version/1574230203/image.jpg)
![](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/dimension=135x10000:format=jpg/path/sd54f55f2e6ac5718/image/i743ebf60107556da/version/1578357845/image.jpg)
レーザー直描
- 基板サイズ610㎜×510㎜まで対応可能
- アライメント(赤色、緑色、赤外の3種)可能
- 高スループット
- 直描の為マスク不要
- L&S8μm
微細パターニング加工
- i線ステッパー
4~12インチ対応可能(3インチ以下は別途ご相談)
1shot44mm角の高スループット
- スキャナー(KrF、ArF液浸)
12インチ対応
- EB(直接描画)
80nm以下のパターニングが可能
![EB(直接描画)の例](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/none/path/sd54f55f2e6ac5718/image/ida5b3914349fff4f/version/1574230203/image.jpg)