成膜加工
成膜加工とは
当社では成膜加工の手法として、スパッタ、真空蒸着、イオンプレーティングなどの各種PVDから、TEOS膜に代表されるCVDまで豊富な成膜方法から最適な手法を提案致します。
特にスパッタに関しては豊富なターゲットを取り揃えており、2元同時、同一真空内で3層積層。小型機から大型機までニーズに合わせた装置選択が可能です。(ターゲット一覧はこちら)
基板サイズは小片から12インチまで投入可能です。
CMP用に各種ブランケットウェハの作製も可能です。
(TiN膜、Cu膜、PE-TEOS、PE-SiN等)
![](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/dimension=224x10000:format=jpg/path/sd54f55f2e6ac5718/image/i231c8e91916a15b8/version/1578357704/image.jpg)
スパッタについて
- 膜を形成する粒子のエネルギーが大きく、付着力の強い膜の形成が可能
- 合金や化合物の組成比をほぼ保ったまま成膜が可能
- 高融点のターゲットでも成膜が可能
- 時間制御だけで高精度の膜厚制御が可能
- 反応性ガスによる酸化物、窒化物の成膜が可能
- 基板加熱可能(300℃)
- フィルムへの成膜が可能
- 豊富なターゲット(ターゲット一覧はこちら)
スパッタについて解説したページ「スパッタとは?」も御覧ください。
![](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/none/path/sd54f55f2e6ac5718/image/i3acb8116caa5854a/version/1578358824/image.jpg)
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![](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/dimension=1920x400:format=jpg/path/sd54f55f2e6ac5718/image/ib420c5fc5bd663dd/version/1578358824/image.jpg)
イオンビームスパッタについて
![](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/dimension=180x1024:format=jpg/path/sd54f55f2e6ac5718/image/i79ef32340aea3a31/version/1574229934/image.jpg)
- イオン銃で発生させたイオンをターゲットに照射する為、放電でプラズマを作る必要がなく、高真空中での成膜が可能(不純物が混ざらない)
- イオン源が独立しており条件設定が容易
- ターゲットの材質を問わない
- 超薄膜の成膜が可能
真空蒸着/イオンプレーティングについて
![](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/dimension=180x1024:format=jpg/path/sd54f55f2e6ac5718/image/ieaf08057ca955ae9/version/1574229934/image.jpg)
- 成膜速度が速い
- プラズマによる試料の損傷がない
- 直進性が高い
- フィルムへの成膜が可能
- 厚膜対応が可能
- 膜応力が低い
- リフトオフの成膜に最適
CVDについて
![](https://image.jimcdn.com/app/cms/image/transf/dimension=150x1024:format=jpg/path/sd54f55f2e6ac5718/image/ifa4a9e86d8d8952e/version/1574229934/image.jpg)
- 被覆性が良い
- TEOSは個片基板の投入が可能
- フィルムへの成膜が可能
- PE-CVDによるTEOS厚膜の成膜が可能(~20μmまで)
- 成膜可能な膜一覧はこちら