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半導体めっき加工

WLP(Wafer Level Package)への再配線・バンプめっきサービス

各ウェハサイズへ対応いたします。

Cuピラー、半田バンプ、低融点バンプ、各種のバンプを

承ります。少数、小ロット、短納期対応でアシストします。


各プロセスの一例

NO. 加工プロセス 加工仕様範囲

1

 

シード層形成

 

Ti+Cu成膜
2

回路形成

(レジストリソグラフィー)

レジスト種:ポジ、ネガ型

 最大L&S : 100μm時

   厚さ:100μm

 最小L&S : 10μm時

   厚さ:10μm

3

回路形成

(電解Cuメッキ)

4

レジスト・シード層剥離

 
5 絶縁樹脂形成

絶縁樹脂:ポリイミド、フェノール系等

 最大径 : Φ250μm時

  厚さ:20μm

 最小径 : Φ10μm時

  厚さ:5μm

6

シード層形成

 
7

ポスト形成

(レジストリソグラフィー)

レジスト種:ポジ、ネガ型

  最大径 : Φ250μm時

   厚さ:150μm

  最小径 : Φ10μm時

   厚さ:10μm

8

Cu ポストメッキ

9

Niバリアメッキ

 

厚み:2µm~
10

SnAgメッキ

厚み:3µm~

※その他SnBi、Inめっきも承ります

11

レジスト・シード層剥離

 

 
12

フラックス塗布

 
13

リフロー処理

 

ウェハ専用リフロー装置対応
14

洗浄

 

 
 
様式図