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パターニング加工

当社では、半導体素子、MEMS構造、めっき、エッチング(Deep-RIE、Dry&Wet)用のレジストパターニングの手法としてアライナー、ステッパー、EBでの露光・現像が可能です。

ポジ型、ネガ型、ドライフィルム、薄膜、厚膜用各種レジストを所有しております。ポリイミドのパターニングも可能です。


アライナー

  • 3インチ~12インチ対応可能
  • 等倍コンタクト露光
  • リフトオフ用逆テーパーパターン
  • 裏面アライメント
  • レジスト以外にも低応力絶縁樹脂もパターニングも可能

ステッパー

  • i線、KrF、液浸対応可能
  • 4~12インチ対応可能(3インチ以下は別途ご相談)
  • i線ステッパーは1shot44㎜角の高スループット

高アスペクトレジスト、厚膜レジスト形成

  • 高アスペクト比対応レジスト(配線形成用)
  • 厚膜レジスト(Cuピラー用)
  • その他Ni電鋳用高アスペクト比レジストも取り扱い中
高アスペクトレジスト レジスト厚10µm L&S:2/2µm
高アスペクトレジスト レジスト厚10µm L&S:2/2µm
厚膜用レジスト
厚膜用レジスト

レーザー直描

  • 基板サイズ610㎜×510㎜まで対応可能
  • アライメント(赤色、緑色、赤外の3種)可能
  • 高スループット
  • 直描の為マスク不要
  • L&S8μm

EB(直接描画)

  • 80nm以下のパターニングが可能