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CMPについて

CMP(Chemical Mechanical Planarization ―化学的機械的研磨による平坦化技術―)は多層配線基板の作製に欠かせない技術です。このページではCMPの適用範囲を、加工事例を交えて紹介します。


CMPの目的

多層配線の層数が増えるに伴い、IC表面の凸凹が増え、段差が大きくなります。大きくなった段差は成膜時の膜厚、露光時の焦点が合わなくなったり、微細パターンの形成が困難になってきます。

そこで表面の平坦化技術として必須なのがCMPです。


CMPの用途

層間絶縁膜の平坦化

CMP前(PE-TEOS)
CMP前(PE-TEOS)
CMP後(PE-TEOS)
CMP後(PE-TEOS)

ダマシンプロセス

1μmLINE
1μmLINE
10μmLINE
10μmLINE

TSV

スルーホール(埋め込み)めっき直後(CMP前)
スルーホール(埋め込み)めっき直後(CMP前)
CMP後
CMP後

表面拡大
表面拡大

接合前の表面粗さ向上

CMP前
CMP前
CMP後
CMP後